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            宽禁带半导体器件封装关键技术

            报告时间:2021 12 15 9:00-10:30

            报告地点:腾讯会议号:221-832-422

            报告人:Homer Alan Mantooth 教授(IEEE Fellow


            主讲人简介:

            Homer Alan Mantooth 教授是IEEE 会士(IEEE Fellow),2017-2018 年担任IEEE 电力电子协会(PELS)主席三亿体育平台最新官网。他于1990 年从美国佐治亚理工大学获得博士学位。1991-1998 年加入Analogy 公司并担任杰出技术专家,1998 年他回到阿肯色大学-菲耶特维尔校区担任学校特聘教授(Distinguished Professor)三亿体育平台最新官网。他建立了阿肯色大学-NSF 和美国能源部的多个联合研究中心三亿体育平台最新官网,包括POETS,NCREPT GRAPES。他在电气电子领域荣获享誉世界的声誉三亿体育平台最新官网,他对于数/娜谔逵教ㄗ钚鹿偻?;旌闲藕诺募傻缏沸酒杓?、半导体器件建模三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网、应用相关技术和功率半导体器件封装都有杰出的造诣和突出的贡献。于2019 年应邀创办了IEEE Open Journal of Power Electronics 期刊。



            讲座简介:

            宽禁带器件作为第三代半导体三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网,具有低开关损耗的优良特性三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网,可以替代传统硅器件,进一步提高系统的功率密度三亿体育平台最新官网。而宽禁带器件在应用中三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网,由于其高开关斜率问题三亿体育平台最新官网,会带来高振铃、电磁噪声三亿体育平台最新官网、过冲电压和误触发等风险三亿体育平台最新官网。为抑制上述问题三亿体育平台最新官网,完全利用宽禁带器件的优良特性三亿体育平台最新官网,需要设计新型的定制化封装技术三亿体育平台最新官网。本报告将集中探讨多个宽禁带器件的封装技术关键问题三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网,介绍阿肯色大学在如下关键课题上的研究成果:氮化镓器件的3D 封装结构、10kV 碳化硅器件封装的优化设计、以及高温碳化硅器件的封装设计等三亿体育平台最新官网三亿体育平台最新官网。

                                                                                                      文/赵爽  审核/赵吉文



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